Electrical characteristics of aligned and transversally recrystallized SOI-MOS transistors

  1. Sanchez, G.
  2. Garrido, J.
  3. Martinez, J.
  4. Piqueras, J.
  5. Lora, E.
  6. Dominguez, C.
Zeitschrift:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 1992

Ausgabe: 35

Nummer: 10

Seiten: 1447-1450

Art: Artikel

DOI: 10.1016/0038-1101(92)90081-M GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus