Electronic defect levels in continuous wave laser annealed silicon metal oxide semiconductor devices

  1. Cervera, M.
  2. Garcia, B.J.
  3. Martinez, J.
  4. Garrido, J.
  5. Piqueras, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1988

Volum: 64

Número: 6

Pàgines: 3079-3084

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.341546 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus