Electronic defect levels in continuous wave laser annealed silicon metal oxide semiconductor devices

  1. Cervera, M.
  2. Garcia, B.J.
  3. Martinez, J.
  4. Garrido, J.
  5. Piqueras, J.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 1988

Alea: 64

Zenbakia: 6

Orrialdeak: 3079-3084

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.341546 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus