Fabricación de fotoelectrodos transparentes de SnO2 y caracterizaciones estructural y eléctrica

  1. José María López García
  2. Salvador Ángel Gómez Lopera 1
  1. 1 Universidad Politécnica de Cartagena
    info

    Universidad Politécnica de Cartagena

    Cartagena, España

    ROR https://ror.org/02k5kx966

Revista:
Anuario de Jóvenes Investigadores

ISSN: 2386-3676

Año de publicación: 2016

Volumen: 9

Páginas: 176-179

Tipo: Artículo

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Resumen

Se han fabricado fotoelectrodos transparentes de dióxido de estaño dopado con flúor (SnO 2 :F) sobre sustratos de vidrio de 18.75 cm 2 de superficie y 1.2 mm de espesor median te el método de pirolisis de espray. Se crecieron películas de aproximadamente 500 nm de espesor para distintos valores de [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Las capas conductoras tienen una eleva da cristalinidad que coincide con el patrón para el dióxido de estaño (estructura tetragonal rutilo). La resis tencia superficial y la resistividad son mínimas para la muestra dopada al 16%, con valores respectivos 3.05±0.12 Ω cm  2 y (12±6) 10  5 Ω m.

Fuente de los datos: Dialnet