Electrical characteristics of aligned and transversally recrystallized SOI-MOS transistors

  1. Sanchez, G.
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Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 1992

Volumen: 35

Número: 10

Páginas: 1447-1450

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/0038-1101(92)90081-M GOOGLE SCHOLAR