Electronic defect levels in continuous wave laser annealed silicon metal oxide semiconductor devices

  1. Cervera, M.
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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1988

Volumen: 64

Número: 6

Páginas: 3079-3084

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.341546 GOOGLE SCHOLAR