Defect structure of SiNx:H films and its evolution with annealing temperature

  1. Martínez, F.L.
  2. Del Prado, A.
  3. Mártil, I.
  4. Bravo, D.
  5. López, F.J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 88

Nummer: 4

Seiten: 2149-2151

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1305548 GOOGLE SCHOLAR

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