Regrowth-process study of amorphous BF2+ ion-implanted silicon layers through spectroscopic ellipsometry

  1. Holgado, S.
  2. Martinez, J.
  3. Garrido, J.
  4. Piqueras, J.
Revista:
Applied Physics A Materials Science & Processing

ISSN: 0947-8396,  1432-0630

Año de publicación: 1995

Volumen: 60

Número: 3

Páginas: 325-332

Tipo: Artículo

DOI: 10.1007/BF01538413 GOOGLE SCHOLAR
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