Passivation, structural modification, and etching of amorphous silicon in hydrogen plasmas

  1. McQuaid, S.A.
  2. Holgado, S.
  3. Garrido, J.
  4. Martínez, J.
  5. Piqueras, J.
  6. Newman, R.C.
  7. Tucker, J.H.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1997

Volum: 81

Número: 11

Pàgines: 7612-7618

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.365337 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus