Passivation, structural modification, and etching of amorphous silicon in hydrogen plasmas

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 81

Nummer: 11

Seiten: 7612-7618

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.365337 GOOGLE SCHOLAR