Passivation, structural modification, and etching of amorphous silicon in hydrogen plasmas

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1997

Volumen: 81

Número: 11

Páginas: 7612-7618

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.365337 GOOGLE SCHOLAR