Defect levels in monocrystalline and polycrystalline silicon MOS devices: A comparison

  1. Garcia, B.J.
  2. Martinez, J.
  3. Piqueras, J.
Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 0022-3727

Any de publicació: 1985

Volum: 18

Número: 4

Pàgines: 661-670

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0022-3727/18/4/010 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus