Defect levels in monocrystalline and polycrystalline silicon MOS devices: A comparison
- Garcia, B.J.
- Martinez, J.
- Piqueras, J.
ISSN: 0022-3727
Argitalpen urtea: 1985
Alea: 18
Zenbakia: 4
Orrialdeak: 661-670
Mota: Artikulua
Aldizkaria:
Journal of Physics D: Applied Physics