Defect levels in monocrystalline and polycrystalline silicon MOS devices: A comparison
- Garcia, B.J.
- Martinez, J.
- Piqueras, J.
ISSN: 0022-3727
Datum der Publikation: 1985
Ausgabe: 18
Nummer: 4
Seiten: 661-670
Art: Artikel
Zeitschrift:
Journal of Physics D: Applied Physics