Defect levels in monocrystalline and polycrystalline silicon MOS devices: A comparison
- Garcia, B.J.
- Martinez, J.
- Piqueras, J.
ISSN: 0022-3727
Ano de publicación: 1985
Volume: 18
Número: 4
Páxinas: 661-670
Tipo: Artigo
ISSN: 0022-3727
Ano de publicación: 1985
Volume: 18
Número: 4
Páxinas: 661-670
Tipo: Artigo