Defect levels in monocrystalline and polycrystalline silicon MOS devices: A comparison
- Garcia, B.J.
- Martinez, J.
- Piqueras, J.
ISSN: 0022-3727
Año de publicación: 1985
Volumen: 18
Número: 4
Páginas: 661-670
Tipo: Artículo
ISSN: 0022-3727
Año de publicación: 1985
Volumen: 18
Número: 4
Páginas: 661-670
Tipo: Artículo